中频炉的逆变可控硅的选定方法
2026/1/12 来源：硅熔电气 作者：硅熔电气 浏览次数：229
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中频炉的逆变可控硅的选定方法
一、根据中频炉的工作频率段选定：
频率在100Hz-500Hz的选定关断时间在20μs-45μs的KK型可控硅。
频率在500Hz-1000Hz的选定关断时间在18μs-25μs的KK型可控硅。
频率在1000Hz-2500Hz的选定关断时间在12μs-18μs的KK型可控硅。
频率在2500Hz-4000Hz的选定关断时间在10μs-14μs的KG型可控硅。
频率在4000Hz-8000Hz的选定关断时间在6μs-9μs的KA型可控硅。
二、根据中频炉的输出功率选定：
根据并联桥式逆变线路的理论计算，流过每个可控硅的电流是总电流的0.455倍，考虑留有足够大的空间，通常都选定和额定电流同样大小的可控硅。
功率在50KW-100KW的选定电流300A/1600V的可控硅（380V进相电压）
功率在100KW-250KW的选定电流500A/1600V的可控硅（380V进相电压）
功率在350KW-400KW的选定电流800A/1600V的可控硅（380V进相电压）
功率在500KW-750KW的选定电流1500A/1600V的可控硅（380V进相电压）
功率在800KW-1000KW的选定电流1500A/2500V的可控硅（660V进相电压）
功率在1200KW-1600KW的选定电流2000A/2500V的可控硅（660V进相电压）
功率在1800KW-2500KW的选定电流2500A/3000V的可控硅（1250V进相电压）
